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概论，本征半导体,化学键结构，空穴和电子。掺杂，施主和受主，杂质半导体中的no和po；热平衡，动态平衡过程，nopo的生成。 (PDF) |
| L2 |
均匀励磁；均匀电场和漂移(Rec. 2复习)，均匀光学注入，低水平注入，少数载流子的寿命，通解。 (PDF) |
| L3 |
非均匀的注入和/或者掺杂，扩散，连续性/守恒，五个基本的方程。
五个基本的方程 (PDF)
光电探测器讨论 (PDF)
五个基本的方程求解 (PDF) |
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漂移问题中的五个基本方程的线性化和去耦。
状态；德拜长度， LDx,和介电松驰时间，τD 少数载流子的扩散，关于n'的扩散方程；通解；边界条件；已知n'求n, p, Je, Jh, Ex 的方法。
(PDF) |
| L5 |
热平衡状态下非均匀掺杂材料，静电势(用爱因斯坦关系式)，泊松方程，掺杂缓变时的no(x), po(x), Φ(x)；准中性近似值；外部德拜长度, LDx. p-n 结突变。(PDF) |
| L6 |
在热平衡状态下的突变p-n结；耗尽近似； W, xn, xp, Epk, Φb的公式，偏置p-n结的模型扩展，讨论什么条件下可以用(Φb - vA)代替Φb。 (PDF) |
| L7 |
正向偏置，突变p-n结，载流子动态平衡/穿过空间电荷区；电荷漂移，I-V的推导，通过正向和反向偏置的短基区p-n二极管载流子数目分布曲线。 (PDF) |
| L8 |
复习二极管电流，QN区域过剩的电荷存储和扩散电容；介绍BJT结构和双极晶体管(BJT)的工作原理；推导正向工作区npn型BJT电流表达式；介绍基极和发射级的缺陷。 (PDF) |
| L9 |
叠加，npn的埃伯斯－莫尔模型α和β的表达式，大信号BJT的特性和模型：工作范围；在正向作用区的有效近似模型，β-模型，讨论工作范围和模型的局限性；非理想器件。 (PDF) |
| L10 |
其它的 p-n 结器件 ( 测试复习 ) ： LEDs ，发光二极管，太阳能电池和光电二极管。 (PDF - 2.2 MB) |
| L11 |
MOS结构，讨论积累，耗尽和反型层，对MOS电容器应用耗尽近似研究沟道电荷与栅极电压的关系。平带电压，阈值电压。(PDF)
发光二极管和光电二极管的讨论 (PDF) |
| L12 |
MOSFET缓变沟道i-v近似特性；二次逼近，夹断电压的讨论，工作区。 (PDF)
MOSFET 漏极电流模型 (PDF)
MOSFET缓变沟道近似 (PDF) |
| L13 |
静态大信号BJT和MOSFET模型的总结。增强型： 基区宽度/沟道宽度调制(厄利影响)；电荷存储(BJT和MOSFET中的扩散和耗尽储备)。(PDF) |
| L14 |
BJT(混合n型)和MOSFET的增量模型，npn对pnp；n沟道对p沟道；go，厄利电压；电容，稳定工作点的重要性 (PDF) |
| L15 |
基本的反相器为数字逻辑的基本单元，寄存器，性能指标，首先从MOS逻辑开始；反相器的选择；为什么选择CMOS。 (PDF)
反相器分析与设计(PDF)
反相器开关瞬态分析(PDF) |
| L16 |
CMOS的优越性：逻辑性质—逻辑摆幅，速度，功率，可制造性和存储单元。(PDF)
CMOS 门延迟 (PDF) |
| L17 |
体管放大器开始；以共源极为例，性能指标：电压，电流和功率增益；输入输出阻抗，中频带频率范围的概念。(PDF) |
| L18 |
基本的单级晶体管放大器。共基极/栅极，射极/源极跟随器，简并半导体-射极/-源极；特性和分析，二端模型。(PDF) |
| L19 |
差分放大器：大信号分析和传输特性；增量分析和半电路法。(PDF) |
| L20 |
普通差分放大器，电流源偏置电路，正向作用区的最大的增益；线性负载，非线性负载。 (PDF) |
| L21 |
有源负载：Lee负载；电流镜像负载；双端到单端输出转化，多级放大器；偏置，负载选择，CMOS的应用和优势。 (PDF) |
| L22 |
中频带范围；在高频率多级放大器分析的时间常数的开路和短路法，共射极/共源极的高频增益；米勒电容。 (PDF)
戴维宁等效
(PDF)
MOSFET管小信号模型 (PDF) |
| L23 |
看一下商业运放(741)的设计；讨论一些特殊的场合 (达林顿管，共射共基极放大器，下拉上拉，等等) 利用电容器设计稳定的电路，详述共射共基极放大器用于多级放大级；大的输出阻抗，优越的高频性能。 (PDF)
精彩的 CASCODE (PDF) |
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MOSFET和BJT的高频性能的限制： wα, wβ, wt. 准静态近似。(PDF) |
| L25 |
CMOS 门极延迟和功率估计；与器件大小关系，门规模，门规模举例： 386/486/Pentium。(PDF)
CMOS 门延迟，功率 ，和门规模。 (PDF) |
| L26 |
对IC产业，模拟和数字电路的总结，课程复习及对后续科目的学习提出建设性的建议。 (PDF) |