| L1 |
概论，本征半导体，化学键结构，空穴和电子。本征半导体中的 ni(T)。 非本征半导体中的施主和受主浓度 no 和 po 。 Sic: 热平衡，平衡过程。 no、po生成。 |
第1章 (全部)
第2章 (全部) |
| L2 |
均匀励磁: 均匀电场和漂移 (Rec. 2复习)， 均匀光学注入，低水平注入， 少数载流子的寿命，通解。 |
第1章 (除3.3.2节全部)
App. B |
| L3 |
非均匀的注入和/或者掺杂，扩散，连续性/守恒，五个基本的方程。 |
第4章 (全部) |
| L4 |
漂移问题中的五个基本方程的线性化和去耦。 准静态；德拜长度 LDx， 和介电松驰时间τD：少数载流子的扩散，关于n'的扩散方程；通解；边界条件；已知n' 求n, p, Je, Jh, Ex 。 |
第5章 (全部) |
| L5 |
热平衡状态下非均匀掺杂材料，静电势(用爱因斯坦关系式)，泊松方程，掺杂缓变时的 no(x), po(x), Φ(x)； 准中性近似值；外部德拜长度 LDx； p-n 结突变。 |
第6章 (全部)
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| L6 |
在热平衡状态下的突变p-n结；耗尽近似； W, xn, xp, Epk, Φb 的公式，偏置p-n结的模型扩展，讨论什么条件下Φb 可以用 (Φb - vA) 来代替。 |
第7章 (7.1, 7.2)
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| L7 |
正向偏置，突变p-n结，载流子动态平衡/穿过空间电荷区；电荷漂移，I-V的推导，正向或反向偏置的短基区p-n二极管载流子数目分布曲线。 |
第7章(7.3, 7.4.1a)
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| L8 |
复习二极管电流，QN区域过剩的电荷存储和扩散电容；介绍BJT结构和双极晶体管(BJT)的工作原理；推导正向工作区npn型BJT电流表达式；介绍基极和发射级的缺陷。 |
第7章 (7.5 到最后)
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| L9 |
叠加，npn的埃伯斯－莫尔模型，α和β的表达式，大信号BJT的特性和模型，工作范围；在正向作用区的有效近似模型，β-模型，讨论工作范围和模型的局限性；非理想器件。 |
第8章 (8.1)
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| L10 |
其他的p-n结器件(测试复习)：LEDs，发光二极管，太阳能电池和光电二极管。 |
第8章 (8.2.1a)
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| L11 |
MOS结构，讨论积累、耗尽和反型层，对MOS电容器应用耗尽近似，研究沟道电荷与栅极电压的关系。平带电压，阈值电压。 |
第9章 (全部除 9.5)
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| L12 |
MOSFET缓变沟道i-v近似特性；二次逼近，夹断电压的讨论，工作区。 |
第10章 (10.1.1a)
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| L13 |
静态大信号BJT和MOSFET模型的总结。增强型：基区宽度/沟道宽度调制(厄利影响)；电荷存储(BJT和MOSFET中的扩散和耗尽电容)。 |
第7章 (7.2.2, 7.3.4)
第8章 (8.2.1)
第10章 (10.2.1)
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| L14 |
BJT(混合n型)和MOSFET的增量模型，npn对pnp；n沟道对p沟道；go；厄利电压；电容；工作点稳定的重要性。 |
第7章 (7.4.2)
第8章 (8.2.2, 8.2.3)
第10章 (10.2.2, 10.2.3) |
| L15 |
基本的反相器为数字逻辑的基本单元，寄存器，性能指标，首先从MOS逻辑开始；反相器的选择；为什么选择CMOS。 |
第15章 (15.1, 15.2)
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| L16 |
CMOS的优越性：性能—逻辑摆幅，速度，功率，可制造性和存储单元。 |
第15章 (15.2.4)
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| L17 |
从晶体管放大器开始；以共源极为例研究放大器性能指标：电压，电流和功率增益；输入输出阻抗，中频带频率范围等概念。 |
第11章 (11.1, 11.2)
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| L18 |
基本的单级晶体管放大器。共基极/栅极，射极/源极跟随器，简并半导体-射极/-源极；特性和分析，二端模型。 |
第11章 (11.3 to end)
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| L19 |
差分放大器：大信号分析和传输特性；增量分析和半电路法。 |
第12章 (12.1, 12.2)
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| L20 |
普通差分放大器，电流源偏置电路，正向作用区的最大增益；线性负载，非线性负载。 |
第12章(12.3 to end)
第13章 (13.1)
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| L21 |
有源负载：Lee负载；电流镜像负载；双端到单端输出转化，多级放大器；偏置，负载选择，CMOS的应用和优势。 |
第12章 (12.4)
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| L22 |
中频带范围；高频率多级放大器分析的时间常数开路和短路法，共射极/共源极的高频增益；米勒电容。 |
第14章(14.1, 14.2)
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| L23 |
熟悉商业运放(741)的设计；讨论一些特殊的场合(达林顿管，共射共基极放大器，下拉上拉，等等)利用电容器设计稳定的电路，详述共射共基极放大器用于多级放大电路的特性：大的输出阻抗，优越的高频性能。 |
第13章 (13.2 to end)
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| L24 |
MOSFET和BJT的高频性能的限制： wα, wβ, wt的准静态近似。
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第14章 (14.3；略去门极电容表达式的推导 从等式 14.30b 直接到结果 )
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| L25 |
CMOS 门极延迟和功率估计以及与器件大小关系，门规模，门规模举例：386/486/Pentium。 |
第16章 (16.3.1, 16.3.3)
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| L26 |
对IC产业，模拟和数字电路的总结，课程复习及对后续科目的学习提出建设性的建议。 |
所有没有布置的部分 [略去，没有进一步的阅读安排，如果想进一步了解有关内容可参阅 第15章 (15.3, 15.4) 和 第16章 (16.1, 16.2.1a)]
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