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复合半导体: 各族半导体 (III-V's,
II-VI's, IV-VI's, IV-IV's), 合金, Eg 与 a 的关系; 能带结构
(E 与 k 的关系; Γ, L, X 极小值; 直接与间接能隙); 晶格, 电特性和光特性;
特性趋势与元素周期表.有用的化合物 |
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| 2 |
金属-半导体界面 (肖特基势垒):
复合半导体表面; 费米能级限制. 势垒形成原理和电流流动理论; 扩散与冲击的流动; p-n 二极管对比.
电连接的理论和实践 |
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异质结: E-x 分布: ΔEc,
ΔEv, Ec(x), Ev(x); no(x), po(x); m调制掺杂. 与异质结平行方向的电传导;
半导体中的迁移率和载流子散射机制. |
发布习题组1 |
| 4 |
异质结: 垂直与结的电传导:
I-V 族模型和特性. 渐变层理论; 特定场中的内部载流子产生. |
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| 5 |
量子效应结构: 量子阱: 理论,制作,观察(证实),
和应用. 量子线和点. |
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量子效应结构(续): 耦合量子结构:
超晶格.共振隧道: RTD结构和概念. I-V 理论. 相关器件和应用: RTD-load 逻辑,
记忆单元. |
习题组1交作业 |
| 7 |
外延: 关注点/ 约束条件
— 晶格匹配系统; 应力层(假晶) — 厚度限制; 应力对能带的影响, 特性. |
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外延(续): 技术 — MOCVD,
CBE, MBE (MO, GS, & SS).
器件工艺: 蚀刻. 表面钝化; 介电层.
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发布习题组2 |
| 9 |
MESFETs:基本概念,
各种负载接线端模型; 速度饱和的解释. 动态模型: 大信号开关瞬态;小信号, 高f 模型. 制作顺序;
特定设计的应用(功率,数字,低噪声微波). |
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MESFET 数字逻辑家族:
逻辑的执行标准. 逻辑家族: 常开逻辑(FL, BFL, SDFL); 常闭逻辑 (DCFL);
家族的比较; 制作过程的例子; 性能数据; 最新商品化. 微波线性集成电路:
构造模块, 放大级, 波导, 块状元件. MMIC 和无线技术. |
习题组2交作业 |
| 11 |
HFETs (掺杂沟道):
概念; I-V 模型包括速度饱和; 门2 特性; 输出导纳; HFETs
(固有门电路):HIGFET— 基本器件, 特性, 理论. 用于逻辑的补充结构. |
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| 12 |
HFETs (调制掺杂):
MODFET— 基本器件, 理论. 深层问题(互导崩溃); 假晶方法. 通讯应用—关键特征: 增益,带宽,线性,噪声. |
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| 13 |
HBTs:概念: 发射极效率,基极输运,
基极电阻,结电容. HJ 集电极和集电极精致化. 渐变层的应用: HJ 尖峰的控制; 轰击注入;
有关上部峡谷极小部位的问题. |
发布习题组3 |
| 14 |
HBTs (续): 当代商品化HBT技术(III-V
and IV-IV). |
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| 15 |
发光和吸收:基本理论. 直接与间接能隙.
能带与能带间和能带与杂质间的跃迁. |
习题组3交作业 |
| 16 |
介电质波导/光子晶体:光学腔和波导的基本知识.
光子晶体概念,结构和问题. |
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| 17 |
发光二极管: LED—结构,
材料, 特性(i-v, l-i, l-l), 性能. 光获取, 电流散布, 光子回收再用. |
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| 18 |
LEDs (续): 在显示和照明中的应用—
考虑,当前实践,最近商品化发展. |
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| 19 |
激光二极管: 反馈和受激发射,腔设计;
双异质结概念.量子阱, 线, 点有效区域. 应力层; 假晶有效区. |
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| 20/21 |
激光二极管(续): 面内激光器:
双异质结, 量子阱,多连接,面发光. 垂直腔面发射激光器(VCSELs). 发射的调制和控制.
新型结构和激光系统,包括蓝-绿激光器和雪崩激光器. |
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| 22 |
探测器:基本型的结构和理论:
p-i-n (普通型和单载流子型), APD, 肖特基二极管, m-s-m; 谐振腔概念. |
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| 23 |
探测器(续): 垂直与面内几何结构.
量子阱子能带光探测器. |
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| 24 |
调制器:多量子阱结构, 量子约束斯达克效应;
SEED. 波导耦合器, 开关,调制器. 光子线路,光电子集成电路(OEICs):
集成目标和挑战;应用. |
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OEICs (续): 集成方法和目前状况.层叠外延,
多次外延, 在已完成的电子器件上外延(GaAs-on-Si, GaAs-on-GaAs, Si-on-GaAs).
粘结. 混和型集成. 自组装. |
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量子效应器件: 电子波导,单电子晶体管等. |
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器件研究会议预览/工业产品预览:
今年研究的热点和市场上的新产品? |
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