6.772/SMA5111期末的作业是写一篇8-10页的论文和准备10-15分钟的演讲,题目是有关当前复合半导体领域中学术或工业研究中有兴趣的内容,或课堂中讨论过的概念. 你的题目可以与你的研究有关; 但如果有关的话, 必须是你研究的周边内容而不是你深入研究的主方向。 例如,你所解决问题的另一种方案。

该作业的第一部分是在第9次课上 (1)交论文的草拟的题目, (2) 论文提纲, 和(3)初步整理的参考文献. 该练习的目的是使你能起步, 同时帮助计划你的期末演讲.你也可以提交与在复习9 (21课)不同的研究方向的论文。

你的论文和演讲必须给读者提供你所研究题目的一个直观的理解、评估该领域的信息、和可选择方案的内容。表明那些问题已经解决、如何解决的、和解决方法的优点。

下列是一些关于此论文学生索要的更多指导:

一般评论 (除提供原创性工作的介绍外)

你的论文可采用任何形式，但以下是最普遍的两种型式:

1. 一篇特定论文的评论 : 找一篇你感兴趣的论文， 该论文描述一种解决问题的方法；你对此文章进行总结，给出该论文所解决问题的背景和所牵涉的小问题，包括该论文前已达到的水平，然后描述和评价该论文的贡献。写出论文声称已做的事，解释为什么有人在乎，讨论你认为该论文是否做出了重要的贡献和真正的解决了问题。
   
   
2. 综述一个研究方向上的目前状态: 找一篇最近的综述文章和几篇同一方向上更新的研究文章. 给出该领域的概要性介绍，概括了目标和大家对此有兴趣的原因、达到目标的挑战性的困难、那些困难已经解决和那些有待解决或那些目前的解决方案有待于改进。

过去的一些专题研究/演讲的题目

VCSEL中的模式控制
量子雪崩激光器
日盲 UV 探测器
GaN 功率器件
一个 MSM 光探测器的分析
GaN 蓝光激光二极管
锑化物在光学器件中的应用
1.55 µm 垂直腔面发光激光器
SiGe HBT 技术在射频中的应用
光子晶体中的光约束和光波导
GaAs和Si器件的一体化集成

寻找点子的地方的建议

下列期刊的内容表是了解别人在做什么的好地方,当你发现你有兴趣的素材后,在该文章的引文和网上开展深入的搜索.

Applied Physics Letters
IEEE Photonics Technology Letters
Electronics Letters
IEEE Electron Device Letters


学生演讲的例子

注: 由于版权的限制,有些演讲文中说明图缺省.

Studies of Rare Earth Implantation in III Nitride Approach to White LED, by Agam Prakash Vajpeyi (PDF)

Novel Passivation Technology for GaAs PHEMTs, by Anita A. Villanueva (PDF)

Conducting Polymeric Materials as they Pertain to Supercapacitors, by David A. New (PDF)

Compound Semiconductor Based Micro-Thermophotovoltaic Power Generation Technologies, by Francis M. O'Sullivan (PDF)

Techniques of GaN Crystal Growth, by Fu Xiaoling (PDF)

Auger Recombination in A^IIIB^V Compound Semiconductors: Non-radiative Losses in Quantum Wells and Superlattices, by Georgii Samsonidze (PDF)

Epitaxially Overgrown Tungsten Features for Current Restriction Applications in GaAs, by Ingvar Åberg (PDF)

Recent Developments in HEMT Cryogenic Low-noise Amplifiers, by Janice C. Lee (PDF)

GaInNAs Lasers, by John Hennessy (PDF)

Gallium Nitride Based HEMT Devices, by Keyan Zang (PDF)

GaN Quantum Dots, by Hung Nguyen (PDF)

Compound Semiconductor Nanowires: An Overview, by Obed Rabin (PDF)

The Final Report: The Investigation of AIN Buffer Layer for the Growth of GaN on Si Substrate, by Le Hong Quang (PDF)

Energy Flow in Semiconductor Devices and its Applications for Semiconductor Laser Diodes, by Ronggui Yang (PDF)

The Use of Strain in Silicon Germanium Heterostructure MOSFET Technology, by Stuart Laval (PDF)

SiGe-based Technology, by Wang Yadong (PDF)